利用源表測試GaN HEMT射頻器件的脈沖I-V參數

基于普賽斯Р系列脈沖源表/CP系列恒壓脈沖源的脈沖I-V特性測試系統

 整套測試系統基于普賽斯P系列脈沖源表/CP恒壓脈沖源,配合探針臺以及專用測試軟件,可用于GaN  HEMT 、GaAs射頻器件脈沖I-V參數測試,尤其是脈沖l-V輸出特性曲線的繪制。

P系列脈沖源表

 P系列脈沖源表是普賽斯推出的高精度、強輸出、寬測試范圍的脈沖式源表,集電壓、電流的輸入輸出及測量等多種功能。產品具有直流、脈沖兩種工作模式。Z大輸出電壓達300V,Z大脈沖輸出電流達10A,Z大電壓300V,Z大電流1A,支持四象限工作,支持線性、對數、自定義等多種掃描模式。可用于生產、研發中的GaN、GaAs射頻材料以及芯片的脈沖式l-V特性測試。

CP系列脈沖恒壓源

 普賽斯CP系列脈沖恒壓源是武漢普賽斯儀表推出的窄脈寬、高精度寬量程插卡式脈沖恒壓源。設備支持窄脈沖電壓輸出,并同步完成輸出電壓及電流測量;支持多設備觸發實現器件的脈沖l-V掃描等;支持輸出脈沖時序(如delay.pulse  width、period等)調節,可輸出復雜曲線。其主要特點有:脈沖電流大,Z高可至10A;脈沖寬度窄,最小可低至100ns;支持直流、脈沖兩種電壓輸出模式;支持線性、對數以及自定義多種掃描工作方式。產品可應用于氮化家、砷化竊等材料構成的高速器件的I-V測試。

 對于射頻器件的脈沖式l-V特性測試,其柵極電壓—般在±10V以內,源、漏端電壓在±60V以內,脈沖寬度從0.5us~500us不等，占空比為10%或20%。此外，由于器件為三端口類型,因此,至少需2臺Р源表,或者2通道CP子卡。

脈沖輸出特性曲線測試

  由于GaN器件材料以及生產工藝限制,存在電流崩塌效應。因此,器件在脈沖條件下工作時會存在功率下降,無法達到理想的大功率工作狀態。脈沖輸出特性測試方法為，在器件的柵極和漏極同步施加周期性脈沖電壓信號,柵極和漏極的電壓會同步在靜態工作點和有效工作點之間進行交替變化。在Vcs和Vos為有效電壓時,對器件電流進行監測.研究證明,不同的靜態工作電壓以及脈寬長度對電流崩塌有不同影響。

基于普賽斯CP系列恒壓脈沖源的脈沖S參數測試系統

  整套測試系統基于普賽斯CP系列恒壓脈沖源,配合網絡分析儀、探針臺、Bias-tee夾具,以及專用測試軟件。在直流小信號S參數測試的基礎上,可實現GaN  HEMT 、GaAs射頻器件脈沖S參數測試。

  武漢普賽斯一直專注于功率器件、射頻器件以及第三代半導體領域電性能測試儀表與系統開發,基于核心算法和系統集成等技術平臺優勢,率先自主研發了高精度數字源表、脈沖式源表、脈沖大電流源、高速數據采集卡、脈沖恒壓源等儀表產品以及整套測試系統。產品廣泛應用在功率半導體材料與器件、射頻器件、寬禁帶半導體的分析測試領域。可根據用戶的需求,提供高性能、高效率、高性價比的電性能測試綜合解決方案。

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