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  • 第三代半導(dǎo)體SiC MOSFET靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備

     
     
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    品牌 普賽斯儀表
    柵極-發(fā)射極 Z大電壓 300V
    Z大電流 1A(直流)/10A(脈沖)
    精度 0.05%
    更新 2025-08-13 10:14
    手機(jī)號(hào):18140663476

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    武漢普賽斯儀表有限公司

    普通會(huì)員第3年
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    產(chǎn)品詳細(xì)

    普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

    普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置有多種測(cè)量單元模塊,模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法靈活,方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。第三代半導(dǎo)體SiC MOSFET靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;

    系統(tǒng)組成

    普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件,以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開(kāi)發(fā)的測(cè)試主機(jī),內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件,可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要,設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù),以滿足不同測(cè)試需求。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出,并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外,測(cè)試主機(jī)可與探針臺(tái)搭配使用,實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測(cè)試;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測(cè)試需求。

    測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測(cè)試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,Z大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試,可測(cè)試低至pA級(jí)漏電流;集電極-發(fā)射極,Z大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時(shí)間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;Z高支持3500V電壓輸出,且自帶漏電流測(cè)量功能。電容特性測(cè)試,包括輸入電容,輸出電容,以及反向傳輸電容測(cè)試,頻率Z高支持1MHz。

     

    系統(tǒng)特點(diǎn)

    高電壓:支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試(Z大擴(kuò)展至10kV);      
    大電流:支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試(多模塊并聯(lián));
    高精度:支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、nA級(jí)漏電流測(cè)試;
    豐富模板:內(nèi)置豐富的測(cè)試模板,方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù);
    配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能;
    數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;
    模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù);
    可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;
    可定制開(kāi)發(fā):可根據(jù)用戶測(cè)試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā);


    測(cè)試項(xiàng)目
    集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
    集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
    柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
    輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
    續(xù)流二極管壓降Vf
    I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等

    測(cè)試夾具

    針對(duì)市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品,普賽斯提供

    整套測(cè)試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試。

     

    普賽斯儀表專業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案和國(guó)產(chǎn)化高精度源表感興趣,歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們,詳詢一八一四零六六三四七六;


    關(guān)于武漢普賽斯儀表有限公司

    注冊(cè)年份 2019
    熱銷產(chǎn)品 儀器儀表、電子產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售;電子技術(shù)服務(wù)
    公司簡(jiǎn)介 武漢普賽斯儀表有限公司,位于東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)光谷大道308號(hào)光谷動(dòng)力節(jié)能環(huán)保產(chǎn)業(yè)園10棟5樓。公司經(jīng)營(yíng)模式:制造商,主要經(jīng)營(yíng):儀器儀表、電子產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售;電子技術(shù)服務(wù),注冊(cè)資本:1000萬(wàn)人民幣。公司聯(lián)系人:王承,公司聯(lián)系電話:027-87993690,或聯(lián)系手機(jī):18140663476。公司依托強(qiáng)而有力的技術(shù)支持與豐富的營(yíng)銷經(jīng)驗(yàn),為不同類型的客戶量身定制貼心服務(wù),為客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品服務(wù)。
    更新信息 快采購(gòu)網(wǎng)供應(yīng)商武漢普賽斯儀表有限公司供應(yīng)第三代半導(dǎo)體SiC MOSFET靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備,為您提供詳細(xì)的產(chǎn)品報(bào)價(jià)、參數(shù)、圖片等商品信息,本產(chǎn)品于2025-08-13 10:14更新,主要更新內(nèi)容為:產(chǎn)品類別、產(chǎn)品參數(shù)、產(chǎn)品價(jià)格、產(chǎn)品圖片等信息。如需進(jìn)一步了解第三代半導(dǎo)體SiC MOSFET靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備詳細(xì)信息,請(qǐng)與廠家直接聯(lián)系,并說(shuō)明是在快采購(gòu)網(wǎng)看到這條商機(jī)的。
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