SiC mos功率器件測試機半導體功率測試設備

靜態特性測試挑戰

隨著半導體制程工藝不斷提升，測試和驗證也變得更加重要。通常，主要的功率半導體器件特性分為靜態特性、動態特性、開關特性。靜態參數特性主要是表征器件本征特性指標，與工作條件無關的相關參數，如很多功率器件的的靜態直流參數(如擊穿電壓、漏電流、閾值電壓、跨導、壓降、導通內阻)等。

功率半導體器件是一種復合全控型電壓驅動式器件，兼有高輸入阻抗和低導通壓降兩方面的優點:同時半導體功率器件的芯片屬于電力電子芯片，需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環境下，對芯片的可靠性要求較高，這給測試帶來了一定的困難。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求，但是寬禁帶半導體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間。如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。

更高精度更高產量

并聯應用要求測試精度提離，確保一致性

終端市場需求量大，要求測試效率提高，UPH提升

更寬泛的測試能力

更寬的測試范圍、更強的測試能力

更大的體二極管導通電壓

更低的比導通電阻

提供更豐富的溫度控制方式

更科學的測試方法

掃描模式對閾值電壓漂移的影響

高壓低噪聲隔離電源的實現

高壓小電流測量技術、高壓線性功放的研究

低電感回路實現

柔性化測試能力

兼容多種模塊封裝形式

方便更換測試夾具

靈活配置，滿足不同測試需求

PMST系列SiC mos功率器件測試機半導體功率測試設備是武漢普賽斯正向設計，精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統，是一致能夠提供IV，CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優勢，旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET.  BJT、 IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態參數表征和測試，并具有著越的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業專家。

針對用戶不同測試場景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態參數測試系統、PMST-MP功率器件靜態參數半自動化測試系統、PMST-AP功率器件靜態參數全自動化測試系統三款功事器件靜態參數測試系統。詳詢一八一四零六六三四七六；

從實驗室到小批量、大批量產線的全覆蓋

從Si IGBT. SiC MOS到GaN     HEMT的全國蓋

從晶圓、芯片、器件、模塊到PM的全覆蓋

 產品特點

 高電壓、大電流

 具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(蕞大可擴展至10kV)

 具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯)

 高精度測量

  納安級漏電流,  μΩ級導通電阻

  0.1%精度測量

  模塊化配置

  可根據實際測試需要靈活配置多種測量單元系統預留升級空間,后期可添加或升級測量單元

  測試效率高

  內置專用開關矩陣,根據測試項目自動切換電路與測量單元

  支持國標全指標的一鍵測試

  擴展性好

  支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具

硬件特色與性能優勢

大電流輸出響應快，無過沖

采用自主開發的高性能脈沖式大電流源、高壓源，輸出建立過程響應快、無過沖。測試過程中，大電流典型上升時間為15us,脈寬在50-500μs之間可調。采用脈沖大電流的測試方式，可有效降低器件因自身發熱帶來的誤差。

高壓測試支持恒壓限流，恒流限壓模式

采用自主開發的高性能高壓源，輸出建立與斷開響應快、無過沖。在擊穿電壓測試中，可設定電流限制或者電壓限值，防止器件因過壓或過流導致損壞。

SiC mos功率器件測試機半導體功率測試設備測試項目
集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等