單晶硅多晶硅光伏行業(yè)專用雷士超聲波清洗機

單晶硅多晶硅光伏行業(yè)專用雷士超聲波清洗機

類型      超聲波冷凝槽

適用領域     半導體、導體、硅晶、水晶玻璃、液晶屏

槽數      1

用途      表面清潔處理

功    能     超聲波+加熱+液體循環(huán)+溢流+冷凝降溫

包    裝     工業(yè)纏繞薄膜

超聲清洗機 1臺

超聲發(fā)生器 1臺

內槽尺寸     355×355×320 mm

槽體材質     不銹鋼316

超聲功率     600W

超聲頻率     40KHz、80KHz、200KHz、270KHz    可切換

加熱調節(jié)     0~60℃

電器控制     PLC

概述

半導體行業(yè)的原材料大部分都由電子器件和硅片組成的，因為半導體外形比較復雜，孔內小，利用超聲波清洗機的高效率和高清潔度，得益于其聲波在介質中傳播時產生的穿透性和空化沖擊疚，所以很容易將帶有復雜外形，內腔和細空清洗干凈，在超聲波作用下只需兩三分鐘即可完成，其速度比傳統方法可提高幾倍，甚至幾十倍，清潔度也能達到高標準，提高了對半導體的生產效率，更突出顯示了用其他處理方法難以達到或不可取代的結果

LSA-MN12四頻率半導體超聲波清洗機，能有效去除硅片、晶片表面的有機物、顆粒、金屬雜質及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破壞晶片表面特性。根據不同清洗工藝配置相應的清洗單元，各部分有獨立控制，隨意組合，設備結構緊湊，凈化占地面積小，造型美觀、實用，操作符合人機工程原理。

2清洗方式

普通的清洗方法一般不能達到孔內,而孔內芯料的反應生成物及其他污染物會在后序工藝中會產生重復污染。無論是采用有機溶劑或是清洗液清洗都容易引入新的污染源,然而利用超聲波清洗技術卻可以實現無重復污染,而且能深入MCP孔內的效果。對不同材料及孔徑的MCP應采用頻率、聲強可調的超聲波進行實驗,以確定實際工藝參數。對孔徑6~12μmMCP的清洗,當媒液為水和乙醇時,可采用空化閾約1/3 W/cm2,聲強10~20 W/cm2,頻率20~120 kHz的超聲波進行清洗。表1是同一段不同板號的MCP采用不同頻率超聲波清洗后表觀及電性能測試結果。由檢測結果可見,對1μm以下的小顆粒污染物,應選用頻率40 kHz以上的超聲波進行清洗。

3清洗溫度

在硅片的清洗過程中，清洗液的溫度是一個關鍵因素。合適的清洗溫度能夠加快油污的去除，得到非常好的清洗效果。當硅片浸到清洗液中，硅片上的油污產生膨脹，油污內部以及油污與硅片之間的作用力減弱，溫度越高，油污膨脹越大，這種作用力就越弱，表面活性劑分子越容易將油污撬離硅片表面。同時，溫度的變化可導致膠束本身性質和被增溶物在膠束中溶解情況發(fā)生變化。只有溫度接近表面活性劑溶液的濁點溫度時，增溶能力最強，因而清洗液的溫度設定在60℃。