高純鉬濺射陽極靶材平面鉬靶旋轉鉬靶

產品名稱：鉬靶材 （鉬濺射靶材，鉬陽極靶材，鉬平面濺射靶材，鉬旋轉靶材，鉬管靶等）

執行標準：可以滿足國標或者美標

純度：≥99.95%或者更高純度

密度：理論密度的99.5%以上

鉬靶材描述

我們公司專業生產各種純鉬靶材，包括平面靶材和旋轉靶材，涵蓋了鉬濺射靶材和鉬陽極靶材。

鉬靶生產工藝過程：混料后裝入模具，進行壓制，然后燒結，毛坯加工，熱處理，Zui后加工成符合客戶要求尺寸和表面的成品。

純度、密度和微觀結構對純鉬靶材具有決定性影響。我們能夠提供至少99.95%純度且符合所需雜質含量的鉬靶材。高密度使其具有特別高的導電性，在濺射速度方面節省時間。均勻的微觀結構在濺射過程中將具有均勻的侵蝕。

我們能夠提供一套完整的物理性能測試設備，如密度、硬度、表面粗糙度等。因此，在使用渦流測試儀和超聲波設備時，可以嚴格檢查產品的可能內部損傷，如孔隙和裂紋，以確保鉬靶材的高質量。

鉬靶材的特點

鉬濺射靶材的特點包括：

1. 高純度：我們的鉬濺射靶材具有至少99.95%的高純度，甚至可以到99.99%，可滿足嚴格的半導體涂層應用要求。

2.高密度和均勻的微觀結構：鉬靶相對密度可以達到99.5%歲以上，高密度使其具有卓越的導電性，提供出色的濺射速度。均勻的微觀結構確保在濺射過程中具有均勻的侵蝕，有助于維持穩定的性能。

3. 完善的物理性能測試：我們提供一套完整的測試設備，包括密度、硬度、表面粗糙度等測試，以確保產品質量并檢查可能的內部損傷，如孔隙和裂紋。

鉬靶材的使用原理：

鉬濺射靶材主要用于磁控濺射涂層，這是一種新型的物理氣相沉積（PVD）方法。在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子， 靶上加有一定的負高壓，從靶極發出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面， 以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。

鉬靶材應用領域：

鉬靶材主要是用來濺射形成鉬層，而鉬層是 TFT-LCD 屏幕薄膜晶體管的組成部分。當需要大屏幕格式、極高圖像清晰度并優化對比度時，就會用到它們。鉬靶也用于微電子工業，例如用于在頻率濾波器（聲表面波濾波器 (SAW)、體聲波濾波器 (BAW)）中形成涂層。鉬靶的其他應用包括由氮化鉬制成的擴散阻擋層、微電子部件中的導體軌道以及由氧化鉬制成的反應濺射透明層，用于 OLED 顯示器和電化學應用。