主要用途                                    

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。其廣泛應用于軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車、新能源裝備等領域。

系統概述                            

針對軌道交通的IGBT模組的靜態參數測試需求而研發的智能測試系統，自動化程度高，按照操作人員設定的程序自動工作。進行測試時，有詳細的測試記錄，包括測試時間、測試環境、測試設備和儀器、測試結果等信息，便于后續分析和檢查計算機記錄測試結果，并且測試結果可轉化為文本或EXCEL格式存儲，工作時序、開關的動作狀態、數據采集等均由設備配置的計算機和PLC共同完成。

測試方法靈活，可測試單個單元和多單元的模塊，系統安全穩定，整體采用輪式機柜集成測試，具有簡潔的人機交互界面（計算機）和良好的保護措施，操作簡單，移動方便等特點。

系統單元及參數條件