IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備

一. 功能簡(jiǎn)介

IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備的基本原理是在一個(gè)工頻半周內(nèi)對(duì)被測(cè)元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個(gè)半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測(cè)量它的動(dòng)態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。

IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備是對(duì)元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測(cè)試，已被國(guó)內(nèi)廣大用戶所接受。

本試驗(yàn)臺(tái)可對(duì)器件的室溫特性及正向壓降等幾個(gè)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，試驗(yàn)臺(tái)在試驗(yàn)時(shí)，可根據(jù)需要對(duì)試驗(yàn)時(shí)間進(jìn)行設(shè)定，試驗(yàn)臺(tái)有平均漏電流顯示，并具有保護(hù)功能。

二.              技術(shù)條件：

1．適用范圍：

本電源適用于300A以下的模塊型整流二極管及模塊型晶閘管的性能考核。本實(shí)驗(yàn)臺(tái)的測(cè)試方法參照原行業(yè)全動(dòng)態(tài)測(cè)試方法。

2．  動(dòng)態(tài)測(cè)試的技術(shù)指標(biāo)：

1） 平均電流ITAV：  低檔：約20—50A      精度±5%   分辨率1A

               gaodang： 約50—300A      精度±5%    分辨率1A

  指針表顯示

  電流波形為近似正選半波，導(dǎo)通角170°左右

阻斷電壓波形為底寬10mS的正弦半波

電流調(diào)節(jié)：手動(dòng)調(diào)壓器

2） 平均壓降：VTAV=0.1—2.5V   精度±3%   分辨率0.01 V

  指針表顯示

3） 正反向不重復(fù)峰值電壓：200—3000V   精度±5%   分辨率10V

4） 正反向峰值漏電流IDRM、IRRM：0.1-20 mA 

精度±3%，分辨率0.01

保護(hù)漏電流1-20 mA 

峰值阻斷電壓、電流為數(shù)字表顯示

阻斷電壓為手動(dòng)調(diào)節(jié)

5） 測(cè)試頻率：50HZ

6） 伏安特性具有過(guò)流保護(hù)及過(guò)流指示。

 7） 電源主電路開(kāi)關(guān)器件采用水冷卻，保證動(dòng)態(tài)考核的準(zhǔn)確性。

8） 連接被測(cè)方式：手動(dòng)連接（上海地鐵高鐵火車）